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參數資料
| 型號： | 2SB859 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon PNP Triple Diffused(三倍擴散PNP晶體管) |
| 中文描述： | 三重擴散硅進步黨（三倍擴散進步黨晶體管） |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SB859 |
2SB859
Silicon PNP Triple Diffused
Application
Low frequency power amplifier complementary pair with 2SD1135
Outline
TO-220AB
1. Base
2. Collector
(Flange)
3. Emitter
123
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Rating
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C(peak)
P
C
*
Tj
–100
V
Collector to emitter voltage
–80
V
Emitter to base voltage
–5
V
Collector current
–4
A
Collector peak current
–8
A
Collector power dissipation
1
40
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Value at T
C
= 25
°
C
Tstg
–45 to +150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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