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參數資料
型號: 2SC1573A
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification)
中文描述: 70 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-51, TO-92L-A1, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 47K
代理商: 2SC1573A
1
Transistor
2SC1573, 2SC1573A, 2SC1573B
Silicon NPN triple diffusion planer type
For high breakdown voltage general amplification
For small TV video output
Complementary to 2SC1573 and 2SA879
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
High transition frequency f
T
.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to
base voltage
Collector to
emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
EIAJ:SC–51
TO–92L Package
5.9
±
0.2
2.54
±
0.15
0.7
±
0.1
4.9
±
0.2
8
±
0
0
+
1
±
0
3
0.45
+0.2
–0.1
1.27
1.27
0.45
+0.2
–0.1
1
3
2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
250
300
400
200
300
400
7
100
70
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
C
C
2SC1573
2SC1573A
2SC1573B
2SC1573
2SC1573A
2SC1573B
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter
voltage
Emitter to base
voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output
capacitance
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 12V, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 1
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 10V, I
C
= 5mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CB
= 10V, I
E
= –10mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
200
300
400
5
7
30
50
typ
80
5
4
max
2
220
1.2
10
8
Unit
μ
A
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE
Rank classification
*2SC1573 for Ranks Q and R only
2SC1573
2SC1573A
2SC1573B
2SC1573
2SC1573A
2SC1573B
2SC1573
2SC1573A
2SC1573B
Rank
P
Q
R
h
FE
30 ~ 100
60 ~ 150
100 ~ 220
相關PDF資料
PDF描述
2SC1573B Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification)
2SC1583 2SC1583
2SC1590 Silicon NPN Transistor RF Power Output
2SC1617 SILICON NP TRIPLE DIFFUSED TYPE
2SC1623-L6 NPN Silicon Epitaxial Transistors
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC1573AP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92
2SC1573AQ 功能描述:TRANS NPN 300VCEO 70MA TO-92L RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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2SC1573B 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SC1573BP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 70MA I(C) | TO-92
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