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參數資料
| 型號： | 2SC1940M |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 120伏特五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|至221VAR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 169K |
| 代理商： | 2SC1940M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC1941 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2SC1941K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-221VAR |
| 2SC1941L | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC1941M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-221VAR |
| 2SC1983 | Dual High Efficiency, Low Noise, Synchronous Step-Down Switching Regulators |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC1941-AZ(K) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC1942 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY HITACHI TRANS TO-31500V 3A 50W BEC |
| 2SC19530S | 功能描述:TRANS NPN HF 150VCEO 50MA TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC1955 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR35V .8A 7.5W |
| 2SC1957-AZ-Q | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
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