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參數資料
型號: 2SC2055
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
封裝: TO-92L, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 114K
代理商: 2SC2055
相關PDF資料
PDF描述
2SC2068 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
2SC2068R 0.2 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
2SC2068 0.05 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202
2SC2075 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC2102 VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC2056 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers in VHF band portable or hand-held radio applications)
2SC2057 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9230V .02A .25W BEC
2SC2058 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR
2SC2058S 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz)
2SC2058STPP 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 25V 0.05A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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