型號: | 2SC2236Y |
英文描述: | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 30V的五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|至92 |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 95K |
代理商: | 2SC2236Y |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC2238BO | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
2SC2238BY | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-220AB |
2SC2240BL | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
2SC2240GR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92 |
2SC2246 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SC2236-Y | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SC2236-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 30V 1.5A 3-Pin LSTM Bulk |
2SC2236-Y(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN, 30V, 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2236-Y(TPE6,F) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A 900mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2237 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |