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參數(shù)資料
型號: 2SC2383-Y
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: LEAD FREE, 2-5J1A, TO-92MOD, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 135K
代理商: 2SC2383-Y
2SC2383
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC2383
Color TV Vertical Deflection Output Applications
Color TV Class-B Sound Output Applications
High breakdown voltage: VCEO = 160 V
Large continuous collector current capability
Recommended for vertical deflection output & sound output
applications for line-operated TVs.
Complementary to 2SA1013
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
160
V
Collector-emitter voltage
VCEO
160
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
1
A
Base current
IB
0.5
A
Collector power dissipation
PC
900
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
ICBO
VCB = 150 V, IE = 0
1.0
A
Emitter cut-off current
IEBO
VEB = 6 V, IC = 0
1.0
A
Collector-emitter breakdown voltage
V (BR) CEO
IC = 10 mA, IB = 0
160
V
DC current gain
hFE
(Note)
VCE = 5 V, IC = 200 mA
60
320
Collector-emitter saturation voltage
VCE (sat)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
1.5
V
Base-emitter voltage
VBE
VCE = 5 V, IC = 5 mA
0.45
0.75
V
Transition frequency
fT
VCE = 5 V, IC = 200 mA
20
100
MHz
Collector output capacitance
Cob
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz
20
pF
Note: hFE classification R: 60 to 120, O: 100 to 200, Y: 160 to 320
Unit: mm
JEDEC
TO-92MOD
JEITA
TOSHIBA
2-5J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC2383Y-BP 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2383R-BP 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2383O-BP 1000 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC2389STPE 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC2389S 50 mA, 120 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC2383-Y(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92 Mod
2SC2383-Y(T6DNS,FM 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC2383-Y(TE6,F,M) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN VCEO 160V DC 1A High Freq Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC2383-Y,T6KEHF(M 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC2383-YTE6FM 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE
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