型號: | 2SC2383O |
英文描述: | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 160V五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至92VAR |
文件頁數: | 1/9頁 |
文件大小: | 39K |
代理商: | 2SC2383O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC2383R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92VAR |
2SC2383Y | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC2389 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92 |
2SC2389SE | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
2SC2389SR | TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SPAK |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SC2383-O | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor |
2SC2383-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 160V 1A 3-Pin TO-92 Mod |
2SC2383-O(T6OMI,FM | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
2SC2383-O(TE6,F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor NPN, 160V, 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC2383-O,T6ALPF(M | 功能描述:TRANS NPN 1A 160V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):160V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 200mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |