- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄371474 > 2SC2489 (Panasonic Corporation) SI NPN EPITAXIAL MESA PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC2489 |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | SI NPN EPITAXIAL MESA |
| 中文描述： | 硅npn型外延梅薩 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 206K |
| 代理商： | 2SC2489 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1077 | SILICON HIGH SPEED POWER TRANSISTOR |
| 2SA1080 | SILICON PNP RING EMITTER TRANSISTOR(RET) |
| 2SA1091 | TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE CONTROL APPLICATIONS PLASMA DISPLAY, NIXIE TUBE DRIVER, CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL) |
| 2SA1093 | SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
| 2SA1094 | SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC2491 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2497 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC2497/2SC2497A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SC2497. 2SC2497A - NPN Transistor |
| 2SC24970Q | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1.5A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC24970R | 功能描述:TRANS NPN 50VCEO 1.5A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。