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參數資料
| 型號： | 2SC3001 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
| 中文描述： | 瑞展式（射頻功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2SC3001 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3006 | TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC3007 | SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
| 2SC3011 | TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC3012 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
| 2SA1232 | PNP SILICON EPITAXIAL/NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3004 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 30V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| 2SC3006 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC3007 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
| 2SC3011 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR (UHF~C BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC3012 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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