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參數資料
| 型號： | 2SC3058 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 30 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 148K |
| 代理商： | 2SC3058 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3071 | 200 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC3072-A(2-7J1A) | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3072(2-7J1A) | 5000 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3088 | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3088-M | 4 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3058A | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| 2SC3059 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:Silicon High Speed Power Transistor |
| 2SC3060 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC3061 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3063 | 功能描述:TRANS NPN 300VCEO .1A TO-126 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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