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參數資料
| 型號： | 2SC3074O |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至251 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | 2SC3074O |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3074Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251 |
| 2SC3076O | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC3076Y | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-251AA |
| 2SC3078M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
| 2SC3079M | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3074-O(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3074Y | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin(3+Tab) PW-Mold 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3074-Y | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:High Current Switching Applications |
| 2SC3074-Y(Q) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 60V 5A Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3074-Y(T6L1,NQ) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN PWR 60V VCBO 50V VCEO 5V VEBO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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