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參數資料
型號: 2SC3076-Y(2-7J1A)
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: LEAD FREE, 2-7J1A, 3 PIN
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 158K
代理商: 2SC3076-Y(2-7J1A)
2SC3076
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3076
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
Excellent switching time: tstg = 1.0 s (typ.)
Complementary to 2SA1241
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
50
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
1
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
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PDF描述
2SC3076(2-7J1A) 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3076(2-7B1A) 2000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3086L 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC3086-M 3 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數描述
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