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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC3326 |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 129K |
| 代理商： | 2SC3326 |
2SC3326
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC3326
For Muting and Switching Applications
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min)
High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = 2 V, IC = 4 mA)
Low on resistance: RON = 1 (typ.) (IB = 5 mA)
High DC current gain: hFE = 200~1200
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
25
V
Collector current
IC
300
mA
Base current
IB
60
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Marking
Unit: mm
JEDEC
TO-236MOD
JEITA
SC-59
TOSHIBA
2-3F1A
Weight: 0.012 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3327-B | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3327 | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3327-A | 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3328-Y | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3331V | 200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3326_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) For Muting and Switching Applications |
| 2SC3326A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-59 |
| 2SC3326-A(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:RF TRANSISTOR - Tape and Reel 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:RF TRANSISTOR - Bulk |
| 2SC3326-A(TE85L,F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR NPN S-MINI |
| 2SC3326-A,LF | 功能描述:TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 3mA，30mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 4mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:30MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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