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參數資料
| 型號： | 2SC3357RH |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-243 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至243 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | 2SC3357RH |
SILICON TRANSISTOR
2SC3357
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DATA SHEET
Document No. P10357EJ4V1DS00 (4th edition)
Date Published March 1997 N
Printed in Japan
1985
DESCRIPTION
The 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for
low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.
It has large dynamic range and good current characteristic.
FEATURES
Low Noise and High Gain
NF = 1.1 dB TYP., G
a
= 8.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 7 mA, f = 1.0 GHz
NF = 1.8 dB TYP., G
a
= 9.0 dB TYP. @V
CE
= 10 V,
I
C
= 40 mA, f = 1.0 GHz
Large P
T
in Small Package
P
T
: 2 W with 16 cm
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25
°
C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Thermal Resistance
Junction Temperature
Storage Temperature
* mounted on 16 cm
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
*
R
th(j-a)
*
T
j
T
stg
20
12
3.0
100
1.2
62.5
150
V
V
V
mA
W
°
C/W
°
C
°
C
65 to +150
2
×
0.7 mm Ceramic Substrate
PACKAGE DIMENSIONS
(Unit: mm)
Term, Connection
E
C
B
(SOT-89)
: Emitter
: Collector (Fin)
: Base
0.41
0.03
+0.05
0.47
±0.06
0.42±0.06
4.5±0.1
1.6±0.2
3.0
E
B
C
1.5
0
2
4
1.5±0.1
0.42
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數描述 |
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