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參數資料
| 型號： | 2SC3503D-RA |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | 2SC3503D-RA |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1371E-AE | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
| 2SC3417F-LS | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SD1459Q-RC | 1.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 2SA1353D-CD | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SA1371E-AE | 100 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3503DSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3503ESTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3503FSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W 512-74LVT16244MTD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3504 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB |
| 2SC3506 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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