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參數資料
型號: 2SC3503FSTSTU
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: SHORT-LEAD TO-126, 3 PIN
文件頁數: 1/6頁
文件大?。?/td> 153K
代理商: 2SC3503FSTSTU
2SC3503/KSC3503
NPN
Ep
it
axi
al
Silico
n
T
ransistor
2008 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
2SC3503/KSC3503 Rev. A1
1
March 2008
2SC3503/KSC3503
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Applications
Audio, Voltage Amplifier and Current Source
CRT Display, Video Output
General Purpose Amplifier
Features
High Voltage : VCEO= 300V
Low Reverse Transfer Capacitance : Cre= 1.8pF at VCB = 30V
Excellent Gain Linearity for low THD
High Frequency: 150MHz
Full thermal and electrical Spice models are available
Complement to 2SA1381/KSA1381.
Absolute Maximum Ratings* T
a = 25°C unless otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
Thermal Characteristics* T
a=25°C unless otherwise noted
* Device mounted on minimum pad size
hFE Classification
Symbol
Parameter
Ratings
Units
BVCBO
Collector-Base Voltage
300
V
BVCEO
Collector-Emitter Voltage
300
V
BVEBO
Emitter-Base Voltage
5
V
IC
Collector Current(DC)
100
mA
ICP
Collector Current(Pulse)
200
mA
PC
Total Device Dissipation, TC=25°C
TC=125°C
7
1.2
W
TJ, TSTG
Junction and Storage Temperature
- 55 ~ +150
°C
Symbol
Parameter
Max.
Units
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
17.8
°C/W
Classification
CD
E
F
hFE
40 ~ 80
60 ~ 120
100 ~ 200
160 ~ 320
1
TO-126
1. Emitter
2.Collector
3.Base
相關PDF資料
PDF描述
2SC3504-D 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3504-E 50 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SC3504F Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226
2SC3510 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SC3128 UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC3503FSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 300V 0.1A 7W 512-74LVT16244MTD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3504 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTOR SC-5 70V .05A .9W ECB
2SC3506 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 3A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3507 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 5A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC3510 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-9220V .05A .6W BEC
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