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參數資料
| 型號： | 2SC3648L-R-AB3-R |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 228K |
| 代理商： | 2SC3648L-R-AB3-R |
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SC3648
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
1 of 5
Copyright 2010 Unisonic Technologies Co., Ltd
QW-R208-038,C
HIGH-VOLTAGE SWITCHING
PREDRIVER APPLICATIONS
FEATURES
* High Breakdown Voltage and Large Current Capacity
* Fast Switching Speed
* Over Current Protection Function
SOT-89
1
ORDERING INFORMATION
Ordering Number
Pin Assignment
Normal
Lead Free
Halogen Free
Package
1
2
3
Packing
2SC3648-x-AB3-R
2SC3648L-x-AB3-R 2SC3648G-x-AB3-R
SOT-89
B
C
E
Tape Reel
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3648-T-AB3-R | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3648G-R-AB3-R | 700 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3652 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3652 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3663-K | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3648S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3648T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 0.7A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649S-TD-H | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3649T-TD-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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