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參數資料
型號: 2SC3649T
英文描述: SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 160V五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|至247
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 478K
代理商: 2SC3649T
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PDF描述
2SC3655 TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SC367GTM SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC367TM TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92
2SC3708R SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3708S TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC3649T-TD-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3649T-TD-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1.5A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC3650-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 25V 1.2A 800 to 3200 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 1.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC3651-TD-E 制造商:SANYO 功能描述:mom 100V 0.2A 500 to 2000 PCP Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 100V 0.2A SOT89 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SC3652 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY CHI TRANSISTOR TO-126 30V .3A 5W ECB
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