- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄370070 > 2SC3661 (Sanyo Electric Co.,Ltd.) NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于高直流電流增益，低頻通用放大器應用的NPN硅外延平面型晶體管) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC3661 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High hFE, Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications(用于高直流電流增益，低頻通用放大器應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展HFE的高硅，低晶體管頻率通用放大器應用（用于高直流電流增益，低頻通用放大器應用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 87K |
| 代理商： | 2SC3661 |
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
High h
FE
, Low-Frequency
General-Purpose Amplifier Applications
Ordering number:EN1854A
2SC3661
N2098HA (KT)/4237AT/N195KI, TS No.1854–1/3
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2018A
[2SC3661]
Applications
· Low frequency general-purpose amplifiers, drivers,
muting circuit.
Features
· Very small-sized package permitting 2SC3661-used
sets to be made smaller, slimmer.
· Adoption of FBET process.
· High DC current gain (h
FE
=800 to 3200).
· Low collector-to-emitter saturation voltage
(V
CE(sat)
≤
0.5V).
· High V
EBO
(V
EBO
≥
15V).
C
C
Electrical Characteristics
at Ta = 25C
C : Collector
B : Base
E : Emitter
SANYO : CP
Marking : FY
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
o
C
s
g
n
R
t
U
e
g
a
V
V
a
V
t
e
C
t
e
C
o
p
s
D
e
s
r
m
e
s
a
B
E
a
-
e
C
-
e
C
-
m
E
r
e
C
r
e
C
r
e
C
V
V
V
O
O
O
B
E
B
C
C
E
IC
IP
C
PC
j
g
T
0
5
5
0
0
0
5
5
3
2
1
0
0
0
2
2
V
V
V
e
g
a
e
g
B
3
5
2
1
1
A
A
W
m
m
m
)
s
P
n
(
e
p
e
p
m
m
e
e
T
T
n
e
o
n
a
S
u
J
g
+
o
5
5
–
r
m
a
P
l
b
m
y
S
s
n
o
n
o
C
s
g
n
R
y
t
U
n
m
p
x
a
1
1
0
2
3
m
t
e
C
e
C
n
G
P
h
w
a
a
p
r
m
E
-
e
C
f
C
f
C
t
e
C
d
n
a
B
-
G
C
t
p
O
r
r
m
C
D
e
C
E
I
I
O
O
B
B
F
fT
o
s
E
C
E
hE
VB
C
VB
E
VE
C
VE
C
VB
C
IC
=
IC
=
I
V
I
V
I
V
I
V
0
1
V
0
1
=
m
0
0
2
m
0
0
2
0
0
2
1
5
=
=
=
=
E0
=
C0
=
C
=
C
1
=
I
A
I
A
A
A
μ
μ
t
A
m
z
H
m
4
m
4
=
m
0
0
1
M
=
1
=
0
0
8
0
0
0
5
5
2
7
1
8
1
0
t
u
d
o
e
c
A
z
H
F
p
V
V
M
n
a
Cb
C
V
E
B
e
g
a
V
n
o
S
V
)
B
B
A
A
2
5
5
2
e
g
a
V
n
o
S
r
m
E
-
s
a
B
)
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3663 | NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN硅外延晶體管) |
| 2SC3664 | NPN Triple Diffused Planar Type Darlington Silicon Transistor for 400V/20A Driver Applications(用于400V/20A驅動器應用的 NPN三路硅平面達林頓晶體管) |
| 2SC3675 | High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3676 | High-Voltage Amp, High-Voltage Switching Applications |
| 2SC3678 | Isolated Flyback Switching Regulator with 9V Output |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3661-TB-E | 制造商:SANYO 功能描述:TRANS, NPN, 25V, 0.3A, SOT23 Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 25V 0.3A SOT23 |
| 2SC3665-Y(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 120V 0.8A 3-Pin MSTM |
| 2SC3665-Y(T2NSW,FM | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2F(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3665-Y,T2NSF(J | 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。