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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC3669-O |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, 2-7D101A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | 2SC3669-O |
2SC3669
2006-11-09
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC3669
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A)
High-speed switching: tstg = 1.0 μs (typ.)
Complementary to 2SA1429
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
80
V
Collector-emitter voltage
VCEO
80
V
Emitter-base voltage
VEBO
5
V
Collector current
IC
2
A
Base current
IB
1
A
Collector power dissipation
PC
1000
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-7D101A
Weight: 0.2 g (typ.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
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