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參數資料
| 型號： | 2SC3671 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL TYPE (STOROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | npn型外延型（STOROBE閃光，中等功率放大器應用） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | 2SC3671 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3672 | NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH VOLTAGE CONTROL, PLASMA DISPLAY, NIXIE TYBE DRIVER, CATHODE RAY TUBE BRIGHTNESS CONTROL APPLICATIONS) |
| 2SC3673 | NPN EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
| 2SC3691 | Silicon NPN Transistors |
| 2SC3704 | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF band low-noise amplification) |
| 2SC3707 | Silicon NPN epitaxial planer type(For UHF amplification) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3672-O(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 3-Pin MSTM |
| 2SC3672-O(T2ASH,FM | 功能描述:TRANS NPN 100MA 300V SC71 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-71 供應商器件封裝:MSTM 標準包裝:1 |
| 2SC3673(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 2A 3-Pin MSTM |
| 2SC3678 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANKEN TRANSISTOR MT100 900V 5A 100W BCE |
| 2SC3679 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANKEN TRANSISTOR MT1 900V 5A 100W BCE |
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