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參數資料
| 型號： | 2SC3686-RF |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 7 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SC3686-RF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3686-CA | 7 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3687-YB | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3687-RA | 8 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 2SC3705-RA | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2SC3705-SA | 1.2 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3689-TB-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A SOT23 |
| 2SC37 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3940V .2A .2W |
| 2SC370400L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3707 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SC-5910V .01A .05W EBC SURFACE MT |
| 2SC370700L | 功能描述:TRANS NPN 7VCEO 10MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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