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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC383 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 中文描述： | 瑞展型（電視最后一張圖片和IF放大器應用） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 259K |
| 代理商： | 2SC383 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC383TM | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (TV FINAL PICTURE IF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 2SC3847 | Silicon High Speed Power Transistor |
| 2SC3850 | Silicon PNP Triple-Diffused Planar Type |
| 2SC3853 | Silicon NPN Triple diffused Plannar |
| 2SC3860 | PNP/ NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC3833 | 制造商:n/a 功能描述:2SC3833 |
| 2SC3835 | 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:Box 制造商:Sanken Electric Co Ltd 功能描述:TRANS NPN 120V 7A TO3P |
| 2SC3837KT146 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC3837KT146N | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC3837KT146N/P | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, NPN, RF, 18V, 50mA, SMT3, 2 |
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