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參數資料
| 型號： | 2SC3932T |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SMINI3-G1, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | 2SC3932T |
1
Transistors
Publication date: June 2006
SJC00143CED
2SC3932
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-frequency amplification/oscillation/mixing
■ Features
High transition frequency f
T
S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage (Base open)
VCEO
20
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
3V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +150
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector-base voltage (Emitter open)
VCBO
IC
= 100 A, I
E
= 030
V
Emitter-base voltage (Collector open)
VEBO
IE = 10 A, IC = 03
V
Base-emitter voltage
VBE
VCB = 10 V, IE = 2 mA
720
mV
Forward current transfer ratio
hFE
VCB
= 10 V, I
E
= 2 mA
25
250
Transition frequency *
fT
VCB = 10 V, IE = 15 mA, f = 200 MHz
800
1 600
MHz
Reverse transfer capacitance
Crb
VCE = 6 V, IC = 0, f = 1 MHz
0.8
pF
(Common base)
Reverse transfer capacitance
Cre
VCB = 10 V, IE = 1 mA, f = 10.7 MHz
1.0
1.5
pF
(Common emitter)
Power gain
GP
VCB = 10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
20
dB
Unit: mm
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
1: Base
2: Emitter
3: Collector
JEITA: SC-70
SMini3-G1 Package
Marking Symbol: R
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
T
S
No-rank
fT
800 to 1 400
1 000 to 1 600
800 to 1 600
Marking symbol
RT
RS
R
Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.
2.1
±
0.1
1.3±0.1
0.3
+0.1
–0.0
2.0±0.2
1.25
±
0.10
(0.425)
1
3
2
(0.65) (0.65)
0.2
±
0.1
0.9
±
0.1
0
to
0.1
0.9
+0.2 –0.1
0.15
+0.10
–0.05
5
10
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3936B | 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3938G-Q | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3938G-R | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3938GQ | 100 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC3941R | 70 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC393400L | 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC3934G0L | 功能描述:TRANS NPN 12VCEO 30MA SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC39350PL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA S-MINI 3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC39350QL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3935GQL | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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