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參數資料
| 型號： | 2SC3941 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Silicon NPN triple diffusion planer type(For high breakdown voltage general amplification) |
| 中文描述： | 70 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-92NL-A1, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | 2SC3941 |
1
Transistor
2SC3941
Silicon NPN triple diffusion planer type
For high breakdown voltage general amplification
For small TV video output
Complementary to 2SB1221
I
Features
G
High collector to emitter voltage V
CEO
.
G
High transition frequency f
T
.
G
Allowing supply with the radial taping.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
TO–92NL Package
5.0
±
0.2
1
±
0
0
±
0
8
±
0
1.27
1
2
3
1.27
4.0
±
0.2
0.45
+0.15
–0.1
0.45
+0.15
–0.1
2
±
0
0.7
±
0.1
2.54
±
0.15
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
300
300
7
100
70
1
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
W
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= 100V, I
E
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
B
= 0
I
E
= 1
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 10V, I
C
= 5mA
I
C
= 50mA, I
B
= 5mA
V
CB
= 10V, I
E
= –10mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
300
7
30
50
typ
80
4
max
2
220
1.2
8
Unit
μ
A
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE
Rank classification
Rank
P
Q
R
h
FE
30 ~ 100
60 ~ 150
100 ~ 220
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參數描述 |
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