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參數資料
| 型號： | 2SC4132T100P |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | 2SC4132T100P |
(96-237-C74)
External dimensions (Units: mm)
243
Transistors
Low Frequency Transistor
(20V, 3A)
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2) Excellent current gain characteris-
tics.
3) Complements the
2SB1424 / 2SA1585S.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4132T100Q | BJT |
| 2SC4132T100R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4133 | TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SPAK |
| 2SC4171L | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4171M | TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4132T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4132T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4133 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTORSPA 50V .1A .3W ECB |
| 2SC4134 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY SANYO TRANSISTORSC-64 (TP) 120V 1A 10W BCE |
| 2SC4134R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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