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參數資料
| 型號： | 2SC4134 |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉換應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
| 中文描述： | 瑞展硅晶體管的高壓開關應用（用于高電壓轉換應用的npn型硅外延平面型晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 155K |
| 代理商： | 2SC4134 |
72098HA (KT)/8219MO/4097TA, TS No.2510-1/4
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1592/2SC4134
High-Voltage Switching Applications
Ordering number:EN2510A
( ) : 2SA1592
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25C
Package Dimensions
unit:mm
2045B
[2SA1592/2SC4134]
Applications
· Power supplies, relay drivers, lamp drivers.
Features
· Adoption FBET, MBIT processes.
· High breakdown voltage and large current capacity.
· Fast switching speed.
· Small and slim package permitting 2SA1592/
2SC4134-applied sets to be made more compact.
C
Tc=25C
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP-FA
unit:mm
2044B
[2SA1592/2SC4134]
1 : Base
2 : Collector
3 : Emitter
4 : Collector
SANYO : TP
r
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0
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2
* : The 2SA1592/2SC4134 are classified by 100mA h
FE
as follows :
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4139 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(High Voltage And High Speed Switching Transistor)(硅NPN三倍擴散平面晶體管（高壓和高速開關晶體管）) |
| 2SC4140 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(High Voltage And High Speed Switching Transistor)(硅NPN三倍擴散平面晶體管（高壓和高速開關晶體管）) |
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| 2SC4198 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4134R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SC4134S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
| 2SC4134S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4134S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4134T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
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