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參數資料
| 型號： | 2SC4135R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 100V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至252 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2SC4135R |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4135S | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4135T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SC4146 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4156R | TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | DIP |
| 2SC4156S | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4135S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SC4135S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4135S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4135T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-252 |
| 2SC4135T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 2A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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