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參數(shù)資料
型號(hào): 2SC4213
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: USM, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 157K
代理商: 2SC4213
2SC4213
2003-03-27
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC4213
For Muting and Switching Applications
High emitter-base voltage: VEBO = 25 V (min)
High reverse hFE: Reverse hFE = 150 (typ.) (VCE = 2 V, IC = 4 mA)
Low on resistance: RON = 1 (typ.) (IB = 5 mA)
High DC current gain: hFE = 200~1200
Small package
Maximum Ratings (Ta
==== 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
50
V
Collector-emitter voltage
VCEO
20
V
Emitter-base voltage
VEBO
25
V
Collector current
IC
300
mA
Base current
IB
60
mA
Collector power dissipation
PC
100
mW
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature range
Tstg
-55~125
°C
Marking
Unit: mm
JEDEC
JEITA
SC-70
TOSHIBA
2-2E1A
Weight: 0.006 g (typ.)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SC4213A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-70
2SC4213-A(TE85L,F) 功能描述:TRANS NPN 20V 300MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 3mA,30A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 4mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:30MHz 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:USM 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC4213B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SC-70
2SC4213-B 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:For Muting and Switching Applications
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