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參數資料
| 型號： | 2SC4230 |
| 廠商： | Shindengen Electric Manufacturing Company, Ltd. |
| 英文描述： | Switching Power Transistor(2A NPN) |
| 中文描述： | 開關功率晶體管（第2A NPN）的 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 525K |
| 代理商： | 2SC4230 |
RATINGS
SHINDENGEN
Switching Power Transistor
HFX Series
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : TO-220
2A NPN
2SC4230
(T2V80HFX)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4231 | Switching Power Transistor(2A NPN) |
| 2SC4232 | Switching Power Transistor(2A NPN) |
| 2SC4233 | Switching Power Transistor(3A NPN) |
| 2SC4234 | Switching Power Transistor(3A NPN) |
| 2SC4235 | Switching Power Transistor(3A NPN) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4231 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:Switching Power Transistor(2A NPN) |
| 2SC4231-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4231-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=2 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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