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參數資料
| 型號： | 2SC4481S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|園區 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | 2SC4481S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4481T | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4481U | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
| 2SC4482S | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4482T | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP |
| 2SC4482U | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4482T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4482U-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4485T-AN | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:TRANSISTOR NPN 50V 1A SC-71 |
| 2SC4486S-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4486T-AN | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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