- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄33404 > 2SC4584 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4584 |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | ITO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/10頁(yè) |
| 文件大小： | 345K |
| 代理商： | 2SC4584 |
Copyright & Copy;2002 Shindengen Electric Mfg.Co.,Ltd.
RATINGS
SHINDENGEN
OUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Case : ITO-3P
HFX Series
Switching Power Transistor
6A NPN
2SC4584
(TP6W80HFX)
Absolute Maximum Ratings
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Storage Temperature
Tstg
-55`150
Junction Temperature
Tj
150
Collector to Base Voltage
VCBO
1200
V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
800
V
Emitter to Base Voltage
VEBO
7V
Collector Current DC
IC
6A
Collector Current Peak
ICP
12
Base Current DC
IB
3
A
Base Current Peak
IBP
6
Total Transistor Dissipation
PT
Tc = 25
65
W
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to case, AC 1 minute
2
kV
Mounting Torque
TOR
(Recommended torque : 0.5Nm)
0.8
Nm
Electrical Characteristics (Tc=25)
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
Collector to Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus)
IC = 0.2A
Min 800
V
Collector Cutoff Current
ICBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
ICEO
Max 0.1
Emitter Cutoff Current
IEBO
At rated Voltage
Max 0.1
mA
DC Current Gain
hFE
VCE = 5V, IC = 3A
Min 8
hFEL
VCE = 5V, IC = 1mA
Min 7
Collector to Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC = 3A
Max 1.0
V
Base to Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IB = 0.6A
Max 1.5
V
Thermal Resistance
jc
Junction to case
Max 1.92 /W
Transition Frequency
fT
VCE = 10V, IC = 0.6A
TYP 8
MHz
Turn on Time
ton
IC = 3A
Max 0.5
Storage Time
ts
IB1 = 0.6A, IB2 = 1.2A
Max 3.5
s
Fall Time
tf
RL = 85, VBB2 = 4V
Max 0.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4585-4100 | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4233-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SC4234-4000 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4583-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4235-4100 | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4584-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=3 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4584-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=6 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4585 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4585-4100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RO 627-2SC4585-7100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4585-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=800 IC=10 HFE=8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。