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參數資料
| 型號： | 2SC4597-FD5N-DR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 2SC4597-FD5N-DR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4597-FD5M-DL | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4597-FD5L | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4597-FD5L-DR | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1253-AD | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1253-AC | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC460 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4604(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Bulk |
| 2SC4604,F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SC4604,T6F(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
| 2SC4604,T6F(M | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
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