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參數資料
| 型號： | 2SC4617 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | General Purpose Transistor(通用晶體管) |
| 中文描述： | 通用晶體管（通用晶體管） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 87K |
| 代理商： | 2SC4617 |
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC4617H / 2SC1740S
Transistors
General Purpose Transistor (50V, 0.15A)
2SC2412K / 2SC4081 / 2SC4617 / 2SC4617H /
2SC1740S
!
Features
1) Low Cob.
Cob=2.0pF (Typ.)
2) Complements the 2SA1037AK /
2SA1576A / 2SA1774 /
2SA1774H / 2SA933AS.
!
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : SPT
ROHM : EMT3 Flat lead
3
±
0
(
4
±
0.2
2
±
0.2
0.45
0.5
0.45
5
(1) (2) (3)
0.05
+0.15
+0.15
0.05
2.5+0.4
0.1
3
2SC1740S
(1) Emitter
(2) Collector
(3) Base
* Denotes h
FE
All terminals have
0.4
0.05
2SC2412K
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
0~0.1
2
1
0
1.1
0.8±0.1
0.15
2.9±0.2
1.9±0.2
0.950.95
+
0
0.1
+0.2
+0.1
0.06
(2)
(1)
(3)
Abbreviated symbol: B*
Abbreviated symbol: B*
2SC4617
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM :
EMT3
0.2
0.2
0.5
0.5
1.0±0.1
1.6±0.2
0.3
0
1
0.55±0.1
0.7±0.1
0.15±0.05
0
(3)
(2)
(1)
0~0.1
0.05
+0.1
+0.1
0.05
+0.1
0.05
Abbreviated symbol: B*
2SC4617H
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
0.5
0.5
1.0
1.6
0.27
0
1
0.7
0.12
(3)
(2)
(1)
0~0.1
All terminals have
0.3
0
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
2SC4081
0~0.1
(2)
(1)
(3)
0
2
1
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
0.15±0.05
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
Abbreviated symbol: B*
!
Absolute maximum
(Ta=25
°
C)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Parameter
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
C
Tj
Tstg
60
V
V
V
A
mW
C
C
50
7
0.15
I
C
0.2
0.15
0.3
2SC2412K, 2SC4081
2SC1740S
2SC4617,2SC4617H
150
-55~+150
Symbol
Limits
Unit
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4618 | High-Frequency Amplifier Transistor(高頻放大器晶體管) |
| 2SC4618H | High-Frequency Amplifier Transistor(高頻放大器晶體管) |
| 2SC4632 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor for 1200V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching Applications(用于1200V/10mA高電壓放大器，高電壓轉換應用的NPN三路硅平面擴散型晶體管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4617EBTLP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617EBTLQ | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617EBTLR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617EBTLS | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4617FRATLR | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:2SC4617FRATLR - Tape and Reel |
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