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參數資料
型號: 2SC4626
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification)
中文描述: 30 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SSMINI3-G1, SC-75, 3 PIN
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 52K
代理商: 2SC4626
1
Transistor
2SC4626
Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification
Complementary to 2SA1790
I
Features
G
Optimum for RF amplification of FM/AM radios.
G
High transition frequency f
T
.
G
SS-Mini type package, allowing downsizing of the equipment
and automatic insertion through the tape packing.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Base
2:Emitter
3:Collector
EIAJ:SC–75
SS–Mini Type Package
1.6
±
0.15
1
±
0
1
±
0
0
±
0
0
±
0
0
0
0
0
0.8
±
0.1
0.4
0.4
0
+
0
+
1
2
3
0.2
±
0.1
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
30
20
5
30
125
125
–55 ~ +125
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Forward current transfer ratio
Transition frequency
Noise figure
Reverse transfer impedance
Common emitter reverse transfer capacitance
Symbol
I
CBO
h
FE*
f
T
NF
Z
rb
C
re
Conditions
V
CB
= 10V, I
E
= 0
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA, f = 200MHz
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA, f = 5MHz
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA, f = 2MHz
V
CB
= 10V, I
E
= –1mA, f = 10.7MHz
min
70
150
typ
250
2.8
22
0.9
max
0.1
220
4
50
1.5
Unit
μ
A
MHz
dB
pF
Marking symbol :
V
*
h
FE
Rank classification
Rank
B
C
h
FE
70 ~ 140
110 ~ 220
Marking Symbol
VB
VC
相關PDF資料
PDF描述
2SC4627J For High-Frequency Amplification
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參數描述
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