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參數資料
| 型號： | 2SC4656Q |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 50mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SC4656Q |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4656R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-416 |
| 2SC4660 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4660C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-126VAR |
| 2SC4660D | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4660E | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-126VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4662LF608 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4662LF654 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4663-4000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-4000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4664-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=200 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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