- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄351947 > 2SC4664P TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SC4664P |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 200伏五（巴西）總裁| 8A條一（c）|至247VAR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 63K |
| 代理商： | 2SC4664P |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4664R | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4666 | |
| 2SC4704 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4704B | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-126 |
| 2SC4704C | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4667-O(TE85R,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC4668-4100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4668-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=7 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。