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參數資料
| 型號： | 2SC4669-4101 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | 2SC4669-4101 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2178-4101 | 2 A, 500 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2177-4061 | 1 A, 500 V, 7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SA1796-4101 | 7 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1877-4101 | 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SK1931-4071 | 5 A, 200 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4669-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4669-7101 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=40 IC=10 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4672 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LOW Vce NPN SM BIPOLAR TRANSISTOR MPT3 0.5W 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:LOW Vce NPN SM BIPOLAR TRANSISTOR MPT3 0.5W - free partial T/R at 500. |
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