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參數資料
型號: 2SC4718D
英文描述: SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 300V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|的SOT - 186
文件頁數: 1/3頁
文件大?。?/td> 107K
代理商: 2SC4718D
(96-237-C74)
External dimensions (Units: mm)
243
Transistors
Low Frequency Transistor
(20V, 3A)
2SD2150 / 2SC4115S / 2SD2264
Features
1) Low V
CE(sat)
.
V
CE(sat)
= 0.2V (Typ.)
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.1A)
2) Excellent current gain characteris-
tics.
3) Complements the
2SB1424 / 2SA1585S.
Structure
Epitaxial planar type
NPN silicon transistor
相關PDF資料
PDF描述
2SC4718E TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-186
2SD2150R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 3A I(C) | SC-62
2SD2264R TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 5A I(C) | SIP
2SC4119 NPN Triple Diffused Planar Silicon Darlington Transistor for 800V/15A Driver Applications(用于800V/15A驅動器應用的NPN三路硅平面擴散型晶體管)
2SC4126 Silicon NPN Epitaxial
相關代理商/技術參數
參數描述
2SC4725TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4725TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC4726 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, SOT-23VAR
2SC4726TL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
2SC4726TLN 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 11V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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