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參數資料
| 型號： | 2SC4747 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-3PFM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | 2SC4747 |
2SC4747
Silicon NPN Triple Diffused
Application
Character display horizontal deflection output
Feature
High breakdown voltage
V
CBO = 1500 V
High speed switching
t
f ≤ 0.3 s
Outline
1. Base
2. Collector
3. Emitter
TO-3PFM
1
2
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4754 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SC4782Q | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC4782R | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SC4805G-R | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4754(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC4774 T106S | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4774T106 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述: |
| 2SC4774T106R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR 2SC4774T106R |
| 2SC4774T106S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 6V 50MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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