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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC4784YA |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 100K |
| 代理商： | 2SC4784YA |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB1459RF | 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1519FSTL | 2000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SA1189RR | 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2SB562RF | 1000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SK1152(S)TR | 1.5 A, 500 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC4784YA(TL) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4784YA-TR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4793 | 功能描述:TRANS NPN 230V 1A TO220NIS RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4793(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:NPN 230V 1A 100 to 320 TO220NIS Bulk |
| 2SC4793(F,M) | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 230V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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