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參數資料
| 型號： | 2SC4806 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 142K |
| 代理商： | 2SC4806 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4807ERTR-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4811-M | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4811-K | 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4813 | 7.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4813-AZ | 7.5 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4807ERTR-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN Cut Tape |
| 2SC4808 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4808G0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC4808J0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 80MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> RF 晶體管 (BJT) 系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 17/Dec/2010 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:4.7V 頻率 - 轉換:47GHz 噪聲系數（dB典型值@頻率）:0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz 增益:9dB ~ 31dB 功率 - 最大:160mW 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):160 @ 25mA，3V 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:45mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應商設備封裝:4-TSFP 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:BFP 740FESD E6327DKR |
| 2SC4809J0L | 功能描述:TRANS NPN 10VCEO 50MA SSMINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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