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參數(shù)資料
型號: 2SC4815-K-AZ
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù): 1/6頁
文件大?。?/td> 166K
代理商: 2SC4815-K-AZ
2SB905
2004-07-07
1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
2SB905
Power Amplifier Applications
Complementary to SD1220
Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
VCBO
150
V
Collector-emitter voltage
VCEO
150
V
Emitter-base voltage
VEBO
6
V
Collector current
IC
1.5
A
Base current
IB
1.0
A
Ta = 25°C
1.0
Collector power
dissipation
Tc = 25°C
PC
10
W
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
55 to 150
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7B1A
Weight: 0.36 g (typ.)
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-7J1A
Weight: 0.36 g (typ.)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC4815-K 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4815-AZ 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4815-K-AZ 5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2SC4815-T-AZ-K 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SC4833-4000 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=400 IC=5 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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