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參數資料
| 型號： | 2SC4926YD-TL-E |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPAK-4 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 98K |
| 代理商： | 2SC4926YD-TL-E |
Rev.3.00 Aug 10, 2005 page 1 of 7
2SC4926
Silicon NPN Epitaxial
REJ03G0735-0300
(Previous ADE-208-1128A)
Rev.3.00
Aug.10.2005
Application
VHF / UHF wide band amplifier
Features
High gain bandwidth product
fT = 11 GHz Typ
High gain, low noise figure
PG = 16.5 dB Typ, NF = 1.1 dB Typ at f = 900 MHz
Outline
RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A
(Package name: MPAK-4)
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
1
4
3
2
Note:
Marking is “YD–”.
Attention: This is electrostatic sensitive device.
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
VCBO
15
V
Collector to emitter voltage
VCEO
8
V
Emitter to base voltage
VEBO
1.5
V
Collector current
IC
50
mA
Collector power dissipation
PC
150
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4926 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4934E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4934E | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4934 | 0.2 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4935 | 3 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4935-O(Q) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| 2SC4935-Y,Q(J | 功能描述:TRANS NPN 3A 50V TO220-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:1 |
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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