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參數資料
| 型號： | 2SC4938TLB |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-83A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SC4938TLB |
2SC4938
Transistors
High-voltage Switching Transistor
(400V, 5A)
2SC4938
!Features
1) Low VCE(sat). (Typ. 0.6V at IC / IB=5/1A)
2) Fast switching. (tf :Max.1
s at IC=4A)
3) Wide SOA. (safe operating area)
!
!External dimensions
(Units : mm)
EIAJ : SC-83A
(3) Emitter
(2) Collector
(1) Base
ROHM : PSD3
1.24
0.78
0.5Min.
0.4
1.3
4.5
0to0.3
1.3
8.8
( 1
)
( 3
)
2.54
( 2
)
5.08
3.2
13.1
10.1
!
!Absolute maximum ratings
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
400
7
1.5
150
-55~+150
IC
5
35
Single pulse, Pw=100ms.
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Collector current
Unit
V
A
W
C
A
W(Tc=25C)
!
!Packaging specifications and hFE
Type
2SC4938
PSD3
B
TL
1000
Package
hFE
Code
Basic ordering unit (pieces)
!
!Electrical characteristics
(Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VBE(sat)
hFE
fT
Cob
ton
tstg
400
7
-
25
-
15
80
-
10
1.5
50
-
V
A
V
-
MHz
pF
IC=50
A
IC
=1mA
IE
=50
A
VCB
=400V
VEB
=5V
IC/IB
=5A/1A
VCE(sat)
--
1
V
IC/IB
=5A/1A
VCE/IC
=5V/2A
VCB
=10V, IE=-0.5A, f=5MHz
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
--
1
s
IC
=4A , RL=50
-
2.5
s
IB1
=-IB2=0.4A
tf
-
1
s
VCC
200V
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Base-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
Collector-emitter saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time
Measured using pulse current.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC5015-KB | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD1336A | 6 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2SD380 | 5 A, 700 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2SJ668(2-7J1B) | 5 A, 60 V, 0.25 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK1386-01 | 7 A, 450 V, 1.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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