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參數資料
| 型號： | 2SC4939TLF |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | 2SC4939TLF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4939TL/D | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4939TLD | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4939TLEF | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4939TLDE | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4939TL/E | 12 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC494 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 50V 5A 50W BEC |
| 2SC4940-7000 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7012 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4940-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=550 IC=4 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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