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參數資料
| 型號： | 2SC4954-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管微型模具 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | 2SC4954-T2 |
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SILICON TRANSISTOR
2SC4954
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
C
re
= 0.3 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY
PACKING STYLE
2SC4954-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Collector) face to perforation side of the
tape.
2SC4954-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face to perforation
side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation
sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4954)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
9
6
2
V
V
V
10
60
150
mA
mW
C
C
–65 to +150
1993
DATA SHEET
Electrostatic Sensitive Device.
2
0
0
0
+
1.5
0
+
2.8±0.2
0.65
+0.1
3
2
1
0
+
0
1
0
Marking
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
Collector
Emitter
Base
Document No. P10376EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2405)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4956-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
| 2SC4956-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
| 2SC4957-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
| 2SC4957-T2 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD |
| 2SC4958-T1 | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR SUPER MINI MOLD |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4957-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold |
| 2SC4957-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4957-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 |
| 2SC4959-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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