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參數資料
| 型號： | 2SC4956-T2T82 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MINIMOLD PACKAGE-4 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | 2SC4956-T2T82 |
The information in this document is subject to change without notice.
SILICON TRANSISTOR
2SC4956
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
4 PINS MINI MOLD
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
Cre = 0.20 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
PART
QUANTITY
PACKING STYLE
NUMBER
2SC4956-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to perforation
side of the tape.
2SC4956-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face to perfora-
tion side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation
sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4956)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C)
Collector to Base Voltage
VCBO
9V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
6V
Emitter to Base Voltage
VEBO
2V
Collector Current
IC
10
mA
Total Power Dissipation
PT
60
mW
Junction Temperature
Tj
150
C
Storage Temperature
Tstg
–65 to +150
C
1993
DATA SHEET
2.8 –0.3
+0.2
1.5 –0.1
+0.2
0.4
–0.05
+0.1
0.4
–0.05
+0.1
2.9
±0.2
(1.8)
0.85
0.95
0.6
–0.05
+0.1
0.4
–0.05
+0.1
1.1
–0.1
+0.2
0.8
0
to
0.1
0.16
–0.06
+0.1
2
3
1
4
5
(1.9)
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
4.
Collector
Emitter
Base
Emitter
Caution; Electrostatic Sensitive Device.
Document No. P10378EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2407)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4957 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959-T2T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959-T1T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959-T2T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4959-T83-A | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4957-A | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 6V 0.03A 4-Pin Mini-Mold |
| 2SC4957-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4957-T1-A | 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:75 @ 10mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000 |
| 2SC4959-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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