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參數資料
型號: 2SC4957(NE68539E)
英文描述: SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述: 離散
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 37K
代理商: 2SC4957(NE68539E)
Application
VHF & UHF wide band amplifire
Features
High gain bandwidth product
fT = 6 GHz typ
High gain, low noise figure
PG = 12.0 dB typ,
NF = 1.6 dB typ at f = 900 MHz
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
———————————————————————————————————————————
Collector to base voltage
VCBO
20
V
———————————————————————————————————————————
Collector to emitter voltage
VCEO
12
V
———————————————————————————————————————————
Emitter to base voltage
VEBO
2V
———————————————————————————————————————————
Collector current
IC
30
mA
———————————————————————————————————————————
Collector power dissipation
PC
150
mW
———————————————————————————————————————————
Junction temperature
Tj
150
°C
———————————————————————————————————————————
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
———————————————————————————————————————————
MPAK
SCALE : 4/1
1. Emitter
2. Base
3. Collector
1
2
3
2SC4902
Silicon NPN Bipolar Transistor
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參數描述
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2SC4957-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-143 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):6V 頻率 - 躍遷:12GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.5dB @ 2GHz 增益:11dB 功率 - 最大值:180mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):75 @ 10mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):30mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-253-4,TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143 標準包裝:3,000
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2SC4960 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SC4978-7061 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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