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參數資料
| 型號： | 2SC4958-T1T82 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | 2SC4958-T1T82 |
PART
NUMBER
Embossed tape 8 mm wide.
2SC4958–T1
3 Kpcs/Reel.
Pin3 (Collector) face to perfora-
tion side of the tape.
Embossed tape 8 mm wide.
2SC4958–T2
3 Kpcs/Reel.
Pin1 (Emitter), Pin2 (Base) face
to perforation side of the tape.
1992
DATA SHEET
The mark 5 shows revised points.
SILICON TRANSISTOR
2SC4958
Caution; Electrostatic sensitive Device.
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
SUPER MINI MOLD
Document No. P10380EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD–2409)
Date Published July 1995 P
Printed in Japan
1995
FEATURES
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
Low Feedback Capacitance
Cre = 0.3 pF TYP.
ORDERING INFORMATION
QUANTITY
PACKING STYLE
* Please contact with responsible NEC person, if you require evaluation sample.
Unit sample quantity shall be 50 pcs. (Part No.: 2SC4958)
1.25
± 0.1
2.1
± 0.1
2.0
±0.2 0.3
–0
+0.1
0.65
0.3
–0
+0.1
2
1
3
0.9
±0.1
0.3
0.15
–0.05
+0.1
0
to
0.1
Marking
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
PIN CONNECTIONS
1.
2.
3.
Emitter
Base
Collector
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25
°C)
Collector to Base Voltage
VCBO
9V
Collector to Emitter Voltage
VCEO
6V
Emitter to Base Voltage
VEBO
2V
Collector Current
IC
10
mA
Total Power Dissipation
PT
60
mW
Junction Temperature
Tj
150
°C
Storage Temperature
Tstg
–65 to +150
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC4958-T2T82 | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4964 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4964 | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4965YV-TL-E | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SC4966 | SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC4959-T1 | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SC4960 | 功能描述:TRANS NPN 800VCEO 1A TOP-3F RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC4978-7061 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7071 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4978-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=80 IC=3 HFE=70 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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